超快激光加工的一個重要特性在于與材料的作用時間極短，在材料內部形成的熱擴散距離短，因此顯著降低了熱影響區(HAZ)的形成。以有機材料為例，超快激光加工的熱影響區通常在5~20 μm左右。

　　然而正因為飛秒激光的單脈沖能量（Pulse Energy）相對較低，如果提高脈沖的重復頻率(Repetition Rate)來提高加工速度，單個脈沖帶來的低熱量也會因為脈沖重復頻率不斷疊加，加大了熱影響區域的形成，失去了超快激光加工低熱影響區域的特性。

　　這一矛盾制約了飛秒激光脈沖對材料的加工效率。所以在目前工業應用領域中，一些切割、鉆孔等微加工工藝仍然采用納秒激光，但其所帶來的熱影響區是無法達到超快激光加工的級別的。同樣以有機材料為例，納秒激光加工的熱影響區通常大于50 μm。

　　超快激光加工技術領域：

　　1、超快激光隱形切割技術

　　隨著手機等智能設備功能的不斷*，顯示屏幕的尺寸和形狀變得多樣化，全面屏更是成為屏幕發展的主流方向。為了預留元件空間及減少碎屏的可能，屏幕非直角切割變得十分必要。超快激光隱形切割作為激光應力切割技術的延伸，可在透明材料內部誘發微小裂紋，微小裂紋在外力的引導下逐漸沿激光掃描路徑延展，實現透明材料的分離。

　　2、隨著對電子器件小型化與靈活性要求越來越高，催生了柔性電子這一新的應用領域。柔性AMOLED屏幕的驅動系統——柔性薄膜晶體管（thin film transistor, TFT），要求其溝道長度小于10 μm，微納米圖案化是溝道制造的核心。

　　超快激光直寫技術主要利用材料對超快激光的非線性吸收，在作用區域引發物理化學性能變化，通過控制光束掃描實現二維或三維成型加工。超快激光直寫技術不需要掩膜，其加工分辨率可達到納米量級，“冷”加工機制特別適合對耐熱性差的柔性有機材料進行微納結構加工。超快激光直寫還可用于微電路的制作，在敷銅層或鍍金層上直接加工出所需的圖案化線路，成為基于柔性有機聚合物基底的電子器件制造中具有優勢的加工手段。

　　3、超快激光脈沖沉積技術

　　具有特定功能的薄膜材料是制造先進電子器件的基礎，而柔性電子對薄膜厚度和質量提出了更高的要求。

　　超快激光脈沖沉積技術因其高質量的薄膜生長能力而備受關注，超快激光的高功率密度特性可以使任何難熔性材料氣化，而超短脈沖特性又使得它與材料作用時產生的顆粒更加細小，因此在薄膜制備特別是高熔點材料的薄膜制備方面具有重要意義。