紫外光刻機廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產。它經過特殊設計，方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦。而且該設備可通過選配升級套件，實現(xiàn)紫外納米壓印光刻。它具有以下亮點：高分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米、裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡，實現(xiàn)快速準確對準、針對厚膠工藝進行優(yōu)化的高分辨光學系統(tǒng)、可選配通用光學器件，在不同波長間進行快速切換等。

　　紫外光刻機是利用一定波長的紫外光，通過掩模版使特定區(qū)域的光透過，從而輻照到光刻膠表面進行曝光。紫外光刻是典型的大面積光刻技術，能夠快速實現(xiàn)微納光學器件地復制。所用的波長一般為365nm，極限曝光分辨率為1μm，對準精度0.6μm，最大掩模尺寸為5英寸，樣品尺寸支持各種不規(guī)則片以及4英寸晶圓，具有真空接觸曝光、硬接觸曝光、壓力接觸曝光以及接近曝光四種功能。同時可提供紫外納米壓印功能，最高分辨率可達50nm。

　　紫外光刻對對光源系統(tǒng)的要求

　　a.有適當?shù)牟ㄩL。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現(xiàn)象會更嚴重。

　　b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；

　　c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]

　　常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。

　　對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。

　　曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調節(jié)等。